Sentec acm 1 brochure

Page 2

EFFEKTSLUTSTEGET SENTEC ACM1 ar modulupp-
byggd med all aktiv elektronik forutom sluttransistorerna
i plug in system med likriktarkort, drivstegskort och
skyddselektronikkort. Forstarkaren har ett hogstroms nat-
aggregat med en 300W toroidtransformator ingjuten och
kapslad i stélplat. Gléttningen sker i we stycken 22.000
uF "computergrade" kondensatorer - aggregatet klarar
aven mycket stora stromstOtar med god marginal. Driv-
steget matas med en separat spanningsdubblad och elek-
tronisktstabiliserad spanning. Forstarkarenssamtligasak-
ringar sitter bekvamt atkomliga pa Iikriktarkortet och kan
bytas mycket latt.

DRIVSTEGSKORTET innehaller en drivstegsmodul som
ar ingjuten i varmeledande siliconmassa - detta for att
uppna temperaturstabilitet. Modulen innehéller elva falt-
effekt och bipolara transistorer samt 28 andra kompo-
nenter pa bara 4x4 cm. Det lilla formatet ger mindre stro-
kapacitanser och fasvridning - drivsteget arbetar bred-
bandigt med en ovre gransfrekvens pa mer an 10 MHz
och med forsumbar stigtid. Drivstegkortet innehaller aven
stabiliseringskretsar och skyddselektronik for drivstegs-
modulens matningsspanning.

ACM1 AR DC-KOPPLAD och har relaskyddad hogtalar-

utgéng. Relaet bestar av fyra guldplaterade tvillingkon-
takter och klarar att bryta minst 20 A. Serieresistansen ér
bara 0,008 Ohm och relaet styrs av skyddselektronikkor-
tet med automatisk fordrojning vid paslag och omedelbar
brytning vid eventuell likspanning pa hogtalarutgangen.

SLUTSTEGET HAR POLSKRUVAR for hogtalaranslut-
ningen och standard BNC koaxialkontakt fer ingangen.
Med varje ACM1za foljer en sladdkontakt och 5 meter
02.6mm RG174 koaxialkabel. Ferstarkaren kan med fer-
del placeras nara hogtalaren - korta hogtalarkablar gor
faktisktskillnad!

VAR FOR MOS FET TRANSISTORER?

MOS FET transistorer anvands sedan Iange i radiosam-
manhang - exempelvis som HF steg och blandare i bra
FM mottagare. Hog linearitet. lag distorsion och bra for-
starkning ar utmarkande egenskaper och man har lange
f6rsdkt utnyttja dem even i légfrekvensfdrstarkare. Men
ingen transistortillverkare har tidigare kunnat erbjuda
MOS FET transistorer med tillracklig stromkapacitet och
som helkomplementara par. Sedan nagon tid erbjuder nu
emellertid Hitachi ett sadant par som dessutom klarar 7A
och140V.

Attanvanda MOS FETtransistoreri utgangsdelen medfdr
ménga klara fordelar jémfért med vanliga s.k. bipolara
transistorer. MOS FETzar kan till exempel inte réka ut for
s.k. sekundart genombrott d.v.s. en lavinartadstrOmOk-
ning som till slut resulterar i kortslutning mellan kollektor
och emitter. Detta fenomen. som tyvarr ar ganska vanligt
i konventionella utgangssteg beror pa att bipolara transis-
torer har s.k. positiv temperaturkoefficient - vilket inne-
bar att strommen tenderar att oka med temperaturen. En
stromkoncentration kan uppsta med lavinartad tempera-
tur- och stromokning som foljd. Figur 1 visar att MOS FET

. . Innulacluvod in Snaon h .
O. SEN'IYLCAB .lQ

MD 101

ALL CDMPLLMSNYARV
MOS POWER
Dawn: UNIY

A-.
H In
A

-m

_ __ l _l_ l l, l l l o