Hitachi HMA 7500 Mk2 Service Manual

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TY No. 239EGF

H M A-7500M Kl]

CONTENTS

SPECIFICATIONS 1
FEATURES ....... 3
DESCRIPTION OF THE NEW CIRCUITS 3
SERVICE POINTS 8
PRINTED WIRING 11
CIRCUIT DIAGRAM 12
BLOCK DIAGRAM 13
ADJUSTMENTS 13

CHECKING THE 0
PROTECTION CIRCUIT .
TROUBLESHOOTING .
DISASSEMBLY AND REPLACEMENT
REPLACEMENT PARTS LIST .

OF THE

SAFETY PRECAUTIONS

The following precautions should be observed when servicing.

1. Since many parts in the unit have special safety related characteristics, always use genuine Hitachi replace-
ment parts. Especially critical parts in the power circuit block should not be replaced with other makes.
Critical parts are marked with A in the schematic diagram and circuit board diagram.

2. Belore returning a repaired unit to the customer, the service technician must thoroughly test the unit to
ascertain that it is completely safe to operate without danger of electrical shock.

SPECIFICATIONS

Power output 75 watts per channel, mtn, HMS, at 8 ohms from 20

[Both channels driven) Hz to 20 kHz, with no more than 0.005% total
harmonic distortion.
an w/cn + Bow/ch (9 ohms, 1 kHz. Tho. 0.005%)
BO W/ch + Bo W/ch (6 "th. 1 kHz. Tho. 0.005%
tso W In ohms, I kHz, T.H.D. 0.005%. BTL connection)

Power bandwidth 5 Hz - 100 kHz (8 ohms. T.H.D. 0.05% 1/2 Ratedt

Frequency characteristics 0 5 Hz - 100 kHz (+0. -t dBl

Harmonic distortion (ti ohms) tat rated output) Less than 000%

Intermoduladon distortion (8 ohms)

tat rated output] Less than 0.008%
(at 1/2 rated output} Less than 0.005%

Input sensitivity/Impedance I V/47 k-onms

Signal to-noise ratio (IHF, A network. short circuitedl 118 dB

Damping factor (It ohms) 1000 kHz)

1 BO l20 Hz - 2010(2)
l Power supply AC 120 V/eo Hz. ~ 220 V 50/63 Hz. ~ 240 V 50160 Hz.

120 V/220 vmo V ~ 50/60 Hz

Power consumption 420 W or 540 VA lat i/S rated output)
620 w (at raIed output)

Dimensions ' 435 (WI x 155 (H) x 320 (DI mm

Weight 14 kg

, , . , y ' Measured pursuant to the Federal Trade Commission 5 Trade
SpeCIIIcaIanS and parts are Subject to change lor ImWOVemzl'Il. Regulatton Rule on Power Output CIalmS tor Amplifiers.

STEREO POWER AMPLIFIER
October 1980 TOYOKAWA WORKS

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HITACHI HMA-7500MKII

HITACHI HMA-7500MKII

g
i-SlCHERHEITSMASSNAHMEN {,._ t
i Bei Wartungsatbeiten sind die folgenden Sicherheitsmalsnahmen zu beachten: , . . \ , ' g

1. Da verschiedene Teile dieses Gerates Sicherheitsfunktionen aufweisen, nut Ortginal-Httacht-Ersatzterle i
verwenden. Kritische Teile im Neuteil sollten nicht dutch ahnliche Teile anderer Hersteller ersetzt werden. ,
Alle kritischen Teile sind im Schaltplan und irn Diagramm der Schaltplantinen mit dem Symbol A gekenn-
zeichnet.

2, Vet der Auslieferung eines reparierten Gerates an den kunden mu|3 der Wartungstechniker das Gerat einer ,
grdndlichen Priifung unterziehen, urn sicherzustellen, dais sicherer Betrieb ohne die Gefahr vcn elektnschen
Schlagen gewahrleistet ist. 7

TECHNISCHE DATEN i
Ausgangsloistung BO WlKanal + 80 W/Kanal l8 Ohm, 1 kHz. 0.005% Gesamtklirrlaktor) :

so W/Kanal + Bo W/Kanal (4 Ohm, 1 kHz. 0.005% Gesamlklirriaktor)

150 w Ia Ohm, 1 kHz. 0,05% Gesamtklirrlaktor, BTL-Anschlum
Leistungsbandbraito 5 Hz - loo kHz [3 Ohm, 0,05% Gesamtklirrtaktor, 1/2 Nennleislungl ;
Frequenlgang 0,5 Hz - 100 kHz (+0, -t dB)
Klirrlaktor (5 Ohm) (bei Nennleistungl Weniger als 0.006% 5
Intermodulationslaktor (3 Ohm) (bei Nonnleistung) . Wenlger als mousse

(bei 1/2 Nennleistung) Weniger als 0,00%

Eingangsempllndlichkeitl-impodanz
Reuschabstend IIHF, A-Netzwerit, kungeschlossen)
Dllrnplungsiaktor (3 Dhmi

Stromvorsorgung

Leistungsaulnahrne
Abmessungen
Gewicht

Technische Daren und Teile unterliegen Veranderungen zwecks
Verbesserung.

1 W47 Kiloohm , , .1}
118 dB
100 kHz). 30 (20 Hz - 20 kHZI
Netzstrom 120 V, 60 Hz; 220 V, 50/60 Hz; 240 V, 50/60 Hz; 120/220/240 ,
V, 50/60 Hz

420 W oder 540 VA lbei 1/3 Nennleistungl, 620 W lbei Nennleislungl
435 (B) x 165 (H) x 320 IT] mm

M Ito

PRECAUTIONS DE SECURITE

Les precautions suivantes doivent étre observées a cheque qu'une reparation doit étre faite.

1. Etant donne que de nombreux composants de l'appareil possedent des caractéristiques relativesa la sécurité,
utiliser uniquement des pieces de rechange dorigine Hitachi pour effectuer un remplacement. Ceci se rap-
porte notamment aux pieces critiques du bloc d'alimentation qui ne doivent en aucun cas etre remplacees par
celles dautres tabricants. Les pieces critiques sont accompagnés du symbole A dans le schema de montage

et sur le schema de plaque de cablage.

2. Avant de retourner lappareil rappareil reparé au client, le technician doit proceder a un asset; complet pour
s'assurer que lappareil ne présente aucun danger de chocs électriques.

CARACTERISTIQUES TECHNIQUES

Sonia do puissanco

Pulssance de la banda passanxo
Caractéristiques do iréquences
Distorsion harmoniquo (8 ohms)

la sortie nominale)

Distorsion d'intermodulation (8 ohms)

(a sortie nominale)

(a sortie seminominale)
lmpédonce/sensibilité d'entrée
Rapport signal/bruit

(ll-1F. rbseau A, court-oircuité)
Facteur d'amanissarnent l8 ohms)

Alimentation
Consummation II! puissance

Dimensions
Poids

Les oaraclerislioues technique et les composants peuvent etre modifies

pour amelioration.

BOW/can. + 30 W/can. (3 ohms, 1 kHz DHT 0.005%]
BOW/can. + at) W/can. (4 ohms, 1 kHz DHT 0.006%

153 W (B ohms.1 kHz, DHT 0,0057%. oranchement BTL)

5 Hz - 100 kHz (9 ohms, DHT nominale 0,05% semi-nominale)
0,5 H1 - 100 kHz 1+0, -l 65)

Inlerieure a 0,005%
Inlerieure a 0,08%

Inlerieure 3 0,05%
1 W47 kohrns

115 dB

1C0 II kHz)

60 l20 Hz - 20 kHz)

CA 120 V160 HZ, 220V w SCI/H) H1, 240 V - 50/60 Hz,
20 WHO V/24O V - 50/50 H2

420 W on 450 W Ia 1/3 de la sortie nominale),

620 W (a la sortie nominalel

435 [L] x 165 (H x 320 IP) mm

14 kg

--FEATURES

1. Design oriented toward low distortion
across wide band for the best in sound
quality

2. Super linear circuit for enhancing
transmission performance of power MOS
FET

3. Dual servo circuit

4. BTL switch allowing use as high power

output monophonic amplifier

5. Independent left, right power supplies

6. Large-sized power (peak) meters

7.. Output terminals with direct output system

8. High-reliability Protection Circuitry

8. Internal layout designed for best sound
quality and employment of high-
periormance parts

-MERKMALE

1. Fiir geringe Verzerrung fiber eine grolse
Bandbreite und damit beste Klangqualitat
ausgelegt

Z. Superlineare Schaltung zur Verbesserung
der Ubertragungsleistung der Leistungs-
MOS-FETs

3. Doppelservoschaltung

4. BTL-Schalter ermoglicht Einsatz als Mono-
Verstarker mit hoher Ausgangsleistung

5. Unabhangige linke und rechte
Stromversorgung

5. GroBdimensionierte Leistungsanzeigen (fur
Spitzenpegell

7. Ausgangsklemmen mit
Direktausgangssystem

8. Sehr zuverlassige Schutzschaltung

9. Auf beste Klangqualitat ausgelegtes
Gerateinneres und Vemendung von
Hochleistungsteilen

--CARACTERISTIQUES

1. La conception de ce modele a été orientée
vers une faible distorsion sur une bande
trés large pour donner la meilleure qualité
sonore

2. Circuit super linéaire pour rehausser Ies
performances de transmission du transistor
métal-oxyde a effet de champ de puissance
(MOS FET)

3. Circuit servo double

4. Sélecteur BTL qui permet l'utilisation dun
amplificateur monophonique a sortie de
puissance élevé

5. Arrivées d'alimentation indépendantes pour
la gauche et pour la droite

6. Compteurs de puissance (cretel de grandes
dimensions

7. Bornes de sortie avec systeme de sortie
directe

8. Circuits de protection de haute fiabilité

9. Le trace interne a été concu pour donner la
meilleuro qualité de son et lutilisation
maximale des pieces a hautes
performances.

DESCRIPTION OF THE NEW CIRCUIT

1. Superlinear circuit
Fig. 1. is - e) shows the principal'circuit and voltage
and current waveforms of all the sections of the
super linea,r circuit. The basic idea of the super linear
circuit is to vary the bias voltage which is conven-
tionally, fixed, corresponding to the strength oi the
signal.
In Fig. 1 (a), when ll. varies, the voltage V65 between
the gate and source of the power MOS FET on the
supply side of this It changes corresponding to it.
This change in Vcs is detected, the voltage equivalent
to the detected component of Vcs is generated in the
bias generation circuit, Va is increased or decreased
by that amount and constant bias voltage in the no
signal mode is applied to the power MOS FET on the
cut-off side.
Neither power MOS FET is cut-oif during the signal
period, so switching distortion is not generated.

(a) Super um: crrcuir
SHDRFLiMal-Schaltkreis
Circuit squinézire

Fig. 1

Outaulculrcnl IL
Ausgnngtstrom il, a |
Couram do some it

(b _Ou\nul Culrent wavelet!
Ausgangsttrornswelienlorm
some on courant u: sortie

vs

Bars voltage
Vorswnnung
Tet-Stan a: Dolarlailon o

(c) BBS voltage wavelorm
Vorspannungs-Wellenlcrm
Form: de tension 62 polarisation
DOIIIISatInn

Vest
Voitage between gate a source ave

spannung zwischen Garter una Cluelle
Tension entre la port: at In source a

(d) Voltage wavelorm between vale & mm!
Smnnungs-Wellenlarm zwischen
Giller mu Ouelle
Form: oe tension entre la none et la source

I! tale in!

Ruhestrcm iDl
1- -- Courant déwatte' EDI
t

Drain current
Kollektorxtrom o

c
aurant dram idol )2

Ruhztlrorn iDl
Courant déwatté iO2

(a) Drain current wavelnrm
Kollektorstmm~We|lenlorm
Forme du covrant drain

Abb. 1